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天津1996年进入日本科技厅神奈川科学技术研究院工作。电科电通道2016年获中国科学院杰出成就奖。
院完2009年当选中国科学院院士。对于纯PtD-y供体和掺杂的受主发射，成特测最高的PL各向异性比分别达到0.87和0.82，成特测表明供体的激发各向异性能可以有效地转移到受体上，并具有显著的放大作用。交直集输干净的石墨烯薄膜是用于包括透明电极和外延层在内的应用的有前途的材料。
流密2011年获得第三世界科学院化学奖。近期代表性成果：雾天1、雾天Angew: 调节单原子掺杂二氧化钛中晶格氧的电荷转移以HER中科院化学研究所姚建年院士和北京交通大学王熙教授分别以TM1/TiO2和HER为模型催化剂和模型反应，系统地研究了催化作用下的电荷转移。
气专2007年被聘为纳米研究重大科学研究计划仿生智能纳米复合材料项目首席科学家。
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同时，天津司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，天津将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，电科电通道以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。
三星和LG并未明确说明何时推出产品，院完报道称最早预计在明年上半年。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，成特测关于合作目前不能透露细节，成特测但我们确实在与三星电子、LG电子合作。