重复阶段1至3（多个循环），实体史在界面处可产生超平坦单晶石墨烯。
按键Paddle-wheel机制也可用于解释硫代磷酸盐高离子电导率得原因。Li+离子位于四面体位点，消亡而八面体位点仍然空着。
在Na3PO4的相变过程中，背段人[PO4]3-取向无序与阳离子电导率提高的同时发生证明阴离子运动可以促进Na+的扩散。后互Li2SO4转动相表现出的高离子电导率被认为是由于阳离子的扩散与阴离子运动的耦合引起的。进行球磨处理减小晶体尺寸，机交从而有效降低Ttrans（图6d）。
由于中子的波长、发展动能与材料中原子间距离、激发能相近，准弹性中子散射（QENS）可用于探测长程扩散运动和短程局部运动相关的动力学过程。无机导体中阴离子的旋转过去四十年的研究表明，实体史转动相存在于碱金属无机盐中（图2）。
按键(a) Li2SO4和Na2SO4的电导率(σ）与温度(T)的关系。
结合中子衍射、消亡透射电镜等实验表征手段及第一性原理计算、消亡从头算分子动力学(AIMD)模拟、声子谱等理论模拟，从微观原子尺度理解固体材料中离子输运行为及跃迁机制。与原始的Al2O3（0001）晶片相比，背段人石墨烯/Al2O3（0001）表现出由紫外-可见光（UV-vis）指示的较弱的可见光吸收（图3a）。
后互ID/IG比的均匀拉曼图表明石墨烯中几乎不存在缺陷（图2c）。XRD花样表现出高度一致的尖锐Cu（111）峰且具有高的信噪比，机交说明单晶Cu（111）薄膜具有优良的晶相和质量（图1f）。
光学显微图像显示，发展所生产的单晶Cu（111）几乎覆盖了2英寸Al2O3（0001）晶片的整个区域（图1d）。然而，实体史铜箔上的石墨烯需要转移到绝缘衬底才能用于电子和光电子结构的制作，该过程中可能引入杂质或者皱褶，降低石墨烯的质量。